薄膜晶体管物理、工艺与SPICE建模 显示面板设计和制造 TFT的器件物理 制造工艺以及SPICE建模 微电子集成电路设计 电工电子技术书.

基本信息

书名:薄膜晶体管物理、工艺与SPICE建模

原价：39.(咨询特价)

作者:雷东

出版社：电子工业出版社

出版日期：2016-(咨询特价)

ISBN(咨询特价)

字数：

页码：10

版次：1

装帧：平塑

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第1章薄膜晶体管（TFT）用于平板显示1
1.1TFT用于液晶平板显示1
1.1.1LCD显示技术原理1
1.1.2矩阵显示6
1.1.3AMLCD显示技术对TFT特性的要求9
1.2TFT用于OLED平板显示11
1.2.1有机发光二极管（OLED）11
1.2.2OLED显示13
1.2.3AMOLED显示对TFT特性的要求15
1.3TFT的SPICE建模与仿真16
1.3.1SPICE仿真与建模16
1.3.2TFT的SPICE建模18
1.3.3模型的质量验证24
参考文献25
第2章a-Si:H TFT的结构、工艺与器件物理26
2.1平板显示用a-Si:H TFT的结构与工艺26
2.1.1平板显示用a-Si TFT的常见结构26
2.1.2栅极（Gate）金属27
2.1.3a-SiNx:H薄膜27
2.1.4a-Si:H薄膜30
2.1.5na-Si:H薄膜36
2.1.6源漏（S/D）极金属37
2.1.7钝化层37
2.2a-Si:H TFT器件的电学特性38
2.2.1栅极（Gate）正向偏置38
2.2.2a-Si:H TFT的漏电流44
参考文献45
第3章a-Si:H TFT的SPICE模型47
3.1DC模型47
3.1.1a-Si:H TFT开启前47
3.1.2a-Si:H TFT开启后53
3.1.3漏电流区63
3.1.4DC温度模型65
3.2AC模型66
参考文献68
第4章低温多晶硅（LTPS）TFT的结构、工艺与器件物理70
4.1缓冲层以及a-Si层71
4.1.1薄膜的沉积71
4.1.2去氢72
4.2LTPS层74
4.2.1准分子激光退火（ELA）74
4.2.2LTPS薄膜的表面77
4.3LTPS薄膜的电学特性78
4.3.1晶界简介78
4.3.2晶界势垒80
4.3.3载流子的输运82
4.4传统的固相结晶技术（SPC）84
4.5金属诱导结晶（MIC）85
4.6TFT沟道与N-TFT源/漏的形成86
4.7栅绝缘（GI）层87
4.8p型TFT源/漏与n型TFT LDD的形成90
4.8.1轻掺杂漏极 (Lightly Doped Drain，LDD)90
4.8.2注入离子的活化91
4.9层间介质层（Interlayer Dielectric Film，ILD）92
(咨询特价)信号线（Data line）92
(咨询特价)LTPS TFT器件的电学性质93
(咨询特价).1栅极正向偏置93
(咨询特价).2LTPS TFT的漏电流98
参考文献99
第5章LTPS TFT的SPICE模型102
5.1DC模型102
5.1.1TFT有效开启电压的表达式102
5.1.2亚阈值区107
5.1.3输出电流110
5.1.4迁移率模型112
5.1.5漏电流模型117
5.1.6Kink效应122
5.1.7沟道长度调制效应125
5.1.8方程的统一126
5.1.9DC温度模型131
5.2AC模型132
参考文献135
第6章IGZO TFT的结构、工艺与器件物理136
6.1IGZO工艺概述136
6.2平板显示用IGZO TFT的结构137
6.2.1栅极（Gate）金属137
6.2.2栅绝缘层（GI）138
6.2.3IGZO薄膜材料139
6.2.4刻蚀阻挡层（ESL）149
6.2.5S/D金属150
6.3IGZO TFT的电学特性150
6.3.1栅极正向偏置150
6.3.2IGZO TFT的漏电流152
参考文献152

内容提要

本书以显示面板设计和制造过程中的经验为依据，详细分析并阐述了TFT的器件物理、制造工艺以及SPICE建模的相关内容。全书分为6章。第1章阐述了TFT用于平板显示的技术原理，以及针对TFT进行SPICE建模前所需要掌握的基础知识。第2章、第3章内容主要是针对a-Si TFT进行的分析和阐述。其中，第2章分析了目前产业界常用的a-Si TFT的结构、相关的工艺过程、材料以及器件的物理性质。第3章则详细分析了a-Si TFT的SPICE模型，并对每个模型参数的物理意义及其在TFT特性曲线上的作用进行了分析。第4章、第5章分析了LTPS TFT的器件物理、工艺及SPICE模型。第6章针对目前新型的IGZO工艺进行了阐述，主要介绍了IGZO材料及器件的物理性质，以及业界广泛采用的IGZO TFT的结构和工艺过程。

文摘

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作者介绍

雷东，内蒙古头市人，毕业于浙江大学材料系硅材料国家重点实验室，获工学科学硕士学位，研究领域为半导体硅材料。 2012年4月至2015年3月，曾分别就担任北京京东方科技集团移动显示产品开发中心研究员、北京博达微科技有限责任公SPICE器件建模高级工程师、华大九天软件公研发部产品工程师。2015年3月至今，任香港Vendorchain国际有限公产品经理。